[发明专利]半导体发光装置无效
| 申请号： | 201210535484.0 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165787A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 杉山直治;佐藤泰辅;财满康太郎;田岛纯平;彦坂年辉;原田佳幸;吉田学史;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一实施例，一种半导体发光装置包括：包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第一导电类型第一半导体层；包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第二导电类型第二半导体层；设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层，其含有氮化物半导体晶体，并具有大于所述第一半导体层的晶格常数的平均晶格常数；以及设置在所述第一半导体层的与发光层相反的一侧上并向所述第一半导体层施加压应力的第一应力施加层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，包括：包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第一导电类型第一半导体层；包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第二导电类型第二半导体层；发光层，其设置在所述第一半导体层与第二半导体层之间，包含氮化物半导体晶体，并具有大于所述第一半导体层的晶格常数的平均晶格常数；以及第一应力施加层，其设置在所述第一半导体层的与所述发光层相反的一侧上，并向所述第一半导体层施加压应力。
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