[发明专利]新型金属/多晶硅栅极沟槽功率MOSFET在审
| 申请号： | 201210533480.9 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103545356A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 伍震威;周学良;苏柏智;柳瑞兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有相对较低电阻的混成栅电极的功率MOSFET器件使得能够具有好的开关性能。在一些实施方式中，功率MOSFET器件具有半导体基体。外延层设置在半导体基体上。控制源电极和漏电极之间的电子流动的混成栅电极设置在延伸进外延层的沟槽内。混成栅电极具有内部区域和外部区域，其中内部区域具有低阻金属和外部区域具有多晶硅材料的；以及设置在内部区域和外部区域之间的势垒区。内部区域的低电阻为混成栅电极提供能够使功率MOSFET器件具有好的开关性能的低电阻。本发明还公开了一种新型金属/多晶硅栅极沟槽功率MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 金属 多晶 栅极 沟槽 功率 mosfet | ||
【主权项】：
一种晶体管器件，包括：半导体衬底，包括具有源电极和漏电极的晶体管器件；以及混成栅电极，设置在延伸进所述半导体衬底的沟槽内并且被配置成控制所述源电极和所述漏电极之间的电流垂直流动，其中，所述混成栅电极包括多个嵌套区，并且所述多个嵌套区中的一个或者多个包括低阻金属。
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