[发明专利]制备半导体失效分析样品的方法有效
| 申请号： | 201210526393.0 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103871917B | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘文晓;戴海波;李日鑫;李娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出一种制备半导体失效分析样品的方法，首先对所述测试芯片进行切割形成初始样品并在所述初始样品的一角暴露出所述测试区的切割面，其次再对所述初始样品暴露出所述测试区切割面的一角进行切割，使切割面与所述测试区的排列方向垂直，从而可以准确的测量出所述测试区的特征尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 失效 分析 样品 方法 | ||
【主权项】：
一种制备半导体失效分析样品的方法，包括：提供测试芯片，所述测试芯片设有测试区；对所述测试芯片进行切割形成初始样品，在所述初始样品的一角暴露出所述测试区的两个相垂直的切割面，且所述两个相垂直的切割面与所述测试区的排列方向的夹角均为45度；对所述初始样品的一角进行切割，形成另一切割面，所述另一切割面与所述测试区的排列方向垂直，形成半导体失效分析样品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
