[发明专利]一种智能功率模块的制备工艺有效
申请号: | 201210522087.X | 申请日: | 2012-12-07 |
公开(公告)号: | CN103000536A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 崔卫兵;王新;龚浩;程海 | 申请(专利权)人: | 天水华天微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/00;H01L23/31 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人: | 鲜林 |
地址: | 741000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 一种智能功率模块的制备工艺,具体按以下步骤进行:步骤1:晶圆减薄;步骤2:划片;步骤3:上芯;步骤4:压焊;步骤5:塑封;步骤6:电镀;步骤7:测试/编带。本发明主要在封装测试工序进行过程优化,将智能功率集成模块的功率部分及智能部分分开,由于智能功率集成模块的芯片面积主要在功率部分,所以制作的成本也主要是在功率部分。功率部分及智能部分分开后,智能部分的加工成本一样,但是功率部分的成本远低于现在集成在一起的成本。这样虽然封装成本会高一点,但是芯片的成本低很多,该发明整体的性价比更高,适应与中低端智能功率产品。探索出了新的更具性价比的智能模块制造技术,在中低端智能功率模块市场上更具竞争力。 | ||
搜索关键词: | 一种 智能 功率 模块 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种智能功率模块的制备工艺,其特征在于:该制备工艺具体按以下步骤进行:步骤1:晶圆减薄晶圆减薄最终厚度为80um‑110 um; 步骤2:划片功率芯片划片过程中应用防碎片、防裂纹划片工艺软件控制技术,得到功率芯片;智能芯片利用普通划片工艺,得到智能芯片;步骤3:上芯在360℃±30℃下用软焊料将功率芯片粘接在引线框架上,在室温下用绝缘胶将智能芯片粘接在引线框架上,将粘接好功率芯片和智能芯片的引线框架在180℃‑200℃高温下烘烤6‑8小时,用于加固绝缘胶粘结力;步骤4:压焊将上芯后的引线框架的管脚与功率芯片和智能芯片之间先打铝线、再打铜线进行电气连接;步骤5:塑封将压焊好的引线框架放在注塑机上,注入塑封体,热固成型,并留有散热孔;步骤6:电镀将塑封后的产品的散热片和管脚进行镀锡,锡层厚度在10‑30微米;步骤7:测试/编带常规测试,同时还需进行电性能及热性能测试,确保产品的高良率和高可靠性;然后,包装入库,制得智能功率模块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造