[发明专利]提供光刻胶去除的技术有效
| 申请号： | 201210511145.9 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103149810A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 许育荣;吴松勋;黄国彬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/311;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成经图案化的光刻胶层；对经图案化的光刻胶层实施等离子体灰化工艺，从而去除经图案化的光刻胶层的一部分；使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧，从而去除经图案化的光刻胶层的其他部分；以及在使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧之后，实施经图案化的光刻胶层的清洁。本发明提供了去除光刻胶的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 光刻 去除 技术 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成经图案化的光刻胶层；对所述经图案化的光刻胶层实施等离子体灰化工艺，从而去除所述经图案化的光刻胶层的一部分；使所述经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧，从而去除所述经图案化的光刻胶层的其他部分；以及在使所述经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧之后，实施所述经图案化的光刻胶层的清洁。
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