[发明专利]提供光刻胶去除的技术

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成经图案化的光刻胶层；

对所述经图案化的光刻胶层实施等离子体灰化工艺，从而去除所述经图案化的光刻胶层的一部分；

使所述经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧，从而去除所述经图案化的光刻胶层的其他部分；以及

在使所述经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧之后，实施所述经图案化的光刻胶层的清洁。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述等离子体灰化之前，对所述衬底的部分实施注入，所述注入形成所述经图案化的光刻胶层的发生化学变化的外表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁包括硫酸和过氧化物的混合物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述经图案化的光刻胶层包括：沉积六甲基二硅氮烷(HMDS)，而且其中，所述紫外线辐射和臭氧去除至少一部分的所述HMDS。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述宽频带紫外线辐射包括至少具有大于200nm的最短波长和小于1600nm的最长波长的辐射。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体灰化产生光刻胶灰化残留物，并且其中，所述宽频带紫外线辐射和所述臭氧去除至少一部分的所述光刻胶灰化残留物。

7.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成经图案化的光刻胶层；

通过等离子体灰化去除至少一部分的所述经图案化的光刻胶层，所述等离子体灰化在所述衬底上产生光刻胶等离子体残留物；

在所述等离子体灰化之后，使所述光刻胶等离子体残留物暴露于紫外线辐射和臭氧；以及

在所述暴露之后，对所述光刻胶等离子体残留物实施清洁。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在实施所述等离子体灰化之前，使所述光刻胶暴露于紫外线辐射和臭氧。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述等离子体灰化之前，对所述衬底的部分实施注入，所述注入形成所述光刻胶层的发生化学改变的外表面。

10.一种半导体制造机，包括：

第一模块，包括被配置成使半导体晶圆暴露于臭氧和紫外线辐射的室；以及

第二模块，与所述第一模块集成，所述第二模块被配置成将所述半导体晶圆传送至所述第一模块或者从所述第一模块接收所述半导体晶圆，所述第二模块进一步被配置成对所述半导体晶圆实施一个或多个加工步骤。