[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210510636.1 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855211B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 钟淼钧;黄胤富;连士进 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括一衬底、一外延层、一第一阱、一第二阱、一第三阱、一第一重掺杂区、一第二重掺杂区、一注入区及一导电层。外延层设置于衬底上。第一阱位于外延层内。第二阱位于外延层内。第三阱位于外延层内，并位于第一阱及第二阱之间。第一重掺杂区位于第一阱内。第二重掺杂区位于第二阱内。一表面通道形成于第一重掺杂区及第二重掺杂区之间。注入区整面配置地位于表面通道及衬底之间，并分布于该第一阱、该第二阱及该第三阱的投影范围。导电层设置于表面通道的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：一衬底；一外延层，设置于该衬底上；一第一阱，位于该外延层内；一第二阱，位于该外延层内；一第三阱，位于该外延层内，并位于该第一阱及该第二阱之间；一第一重掺杂区，位于该第一阱内；一第二重掺杂区，位于该第二阱内，一表面通道形成于该第一重掺杂区及该第二重掺杂区之间；一注入区，整面配置地位于该表面通道及该衬底之间，位于该外延层中，并分布于该第一阱、该第二阱及该第三阱的投影范围，与该第一阱、该第二阱及该第三阱重叠；以及一导电层，位于该表面通道的上方；其中，该注入区是全面注入的方式来形成，连续分布于第一阱、第二阱与第三阱，且将第一阱、第二阱与第三阱分割成有不同参杂浓度之中间区域，该半导体元件是透过整面的注入区来改善衬底效应。
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