[发明专利]改善化学气相淀积炉管工艺颗粒的方法无效
申请号: | 201210509243.9 | 申请日: | 2012-12-03 |
公开(公告)号: | CN103849852A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 成鑫华;孙勤;袁宿凌 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王函 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种改善化学气相淀积炉管工艺颗粒的方法,在化学气相淀积炉管工艺的完成成膜后的降温步骤中,利用循环净化进行处理,同时通入氮气和笑气,从而使前步成膜工艺附着在排气管管壁的DCS(二氯二氢硅,SiH2Cl2)与笑气进行反应,使其转化成为氧化层,最终再通过排气管排出;所述的循环净化具体包括如下步骤:先将炉管的压力抽到底压,然后同时通入氮气、笑气,维持一定时间后,接着再抽到底压,然后再同时通入氮气和笑气,维持一定时间后,再抽到底压,由此进行循环。本发明在保证对于工艺的作业时间没有影响,并保证了设备的产能的情况下,能有效改善化学气相淀积炉管工艺的颗粒问题。 | ||
搜索关键词: | 改善 化学 气相淀积 炉管 工艺 颗粒 方法 | ||
【主权项】:
一种改善化学气相淀积炉管工艺颗粒的方法,其特征在于,在化学气相淀积炉管工艺的完成成膜后的降温步骤中,利用循环净化进行处理,同时通入氮气和笑气,从而使前步成膜工艺附着在排气管管壁的二氯二氢硅与笑气进行反应,使其转化成为氧化层,最终再通过排气管排出;所述的循环净化具体包括如下步骤:先将炉管的压力抽到底压,然后同时通入氮气、笑气,维持一定时间后,接着再抽到底压,然后再同时通入氮气和笑气,维持一定时间后,再抽到底压,由此进行循环。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210509243.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的