[发明专利]一种点滴式硅片边缘二氧化硅的去除方法

摘要

本发明涉及一种点滴式硅片边缘二氧化硅的去除方法。本方法采用点滴式去边机加工，其步骤是：1.上料机械手将硅片放在硅片旋转定位台上定位；2.上料机械手将定位好的硅片放到蚀刻工位的硅片旋转工位上进行旋转固定；3.蚀刻工位自动旋转，通过滴管将腐蚀液滴到硅片边缘，加以风刀的吹扫，除去硅片边缘的SiO2膜；4.传递机械手将腐蚀完的硅片放到清洗工位上，用纯水冲洗掉硅片表面残留的腐蚀液后，将硅片用收料盒进行接收。采用本方法既能保证SiO2膜被完全除去，又能控制成本，还保证了员工的安全；同时可精确控制HF对SiO2膜的去除范围，提高了生产效率；由于不使用昂贵的蓝膜，成本大大降低，由于操作简便，降低了对操作人的要求，有利于大规模量产。

主权项

一种点滴式硅片边缘二氧化硅的去除方法，其特征在于，采用点滴式去边机去除硅片边缘二氧化硅，其步骤是：步骤一：上料机械手将经过背损伤、背封之后的硅片从片蓝中取出，将其放在硅片旋转定位台上定位； 步骤二：上料机械手将定位好的硅片取走，放到蚀刻工位的硅片旋转工位上，蚀刻工位的硅片旋转工位进行旋转固定；步骤三：蚀刻工位自动旋转，通过滴管将腐蚀液滴到硅片边缘，加以风刀的吹扫，除去硅片边缘的SiO2膜；步骤四：传递机械手将腐蚀完的硅片取走，放到清洗工位上，用纯水冲洗掉硅片表面残留的腐蚀液后，将硅片用收料盒进行接收。