[发明专利]半导体晶片的热处理方法、太阳能电池的制造方法及热处理装置

摘要

本发明得到一种使用横型的热处理炉进行均匀性优良的热处理的半导体晶片的热处理方法及使用其的太阳能电池的制造方法。其具有：将多个半导体晶片（1）相互平行立起地搭载于处理用舟皿（2）的工序；沿多个半导体晶片（1）的平面相对于管（3）的延伸方向平行的方向将处理用舟皿（2）投入管（3）内的喷射器（5）的上方的空间的工序；从喷射器（5）的开口部（H）将原料气体向管（3）内连续地供给的同时加热管（3）的工序。

主权项

一种半导体晶片的热处理方法，将沿水平方向延伸且内侧的下部设置有气体配管的耐热性的管作为处理室使用，并将具有一对第一遮蔽板的处理用舟皿配置在所述管内，所述一对第一遮蔽板对相互平行地搭载的多个半导体晶片的侧面整体进行遮蔽，向所述管内供给原料气体的同时加热所述管，由此，对搭载于所述处理用舟皿的所述多个半导体晶片实施热处理，其特征在于，所述半导体晶片的热处理方法具有：将所述多个半导体晶片相互平行立起地搭载于所述处理用舟皿的工序；沿所述多个半导体晶片的平面相对于所述管的延伸方向平行的方向将所述处理用舟皿投入所述管内的所述气体配管的上方的空间的工序；和从所述气体配管的开口部将所述原料气体连续地供给到所述管内的同时加热所述管的工序。