[发明专利]一种制备特定边缘的石墨烯图形的方法在审
| 申请号： | 201210496825.8 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103021808A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 左青云;康晓旭;曾绍海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备特定边缘的石墨烯图形的方法，其包括：制备石墨烯薄膜；在石墨烯薄膜上形成人工缺陷；利用含H等离子体对石墨烯薄膜进行各向异性刻蚀，沿着人工缺陷处形成石墨烯晶向标记图形；将带有石墨烯晶向标记图形的石墨烯薄膜与目标衬底对准并转移至目标衬底；依次采用光刻和氧等离子刻蚀工艺对石墨烯薄膜进行图形化，得到具有特定边缘的石墨烯图形。本发明提供的一种制备特定边缘的石墨烯图形的方法，能够制备出特定边缘的图形，从而获得具有不同性能的石墨烯薄膜，有利于石墨烯应用于不同的应用领域，并且方法简单，可以与传统CMOS工艺相兼容，有利于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 特定 边缘 石墨 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种制备特定边缘的石墨烯图形的方法，其特征在于，包括：步骤S01：制备石墨烯薄膜；步骤S02：在所述石墨烯薄膜上形成人工缺陷；步骤S03：采用H等离子体对所述石墨烯薄膜进行各向异性刻蚀，沿着所述人工缺陷处形成石墨烯晶向标记图形；步骤S04：将带有所述石墨烯晶向标记图形的石墨烯薄膜和目标衬底对准后转移至目标衬底；步骤S05：依次采用光刻和氧等离子刻蚀工艺对所述石墨烯薄膜进行图形化，得到具有特定边缘的石墨烯图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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