[发明专利]一种SiC肖特基二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210483401.8 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103000697A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 白云;刘可安;申华军;汤益丹;王弋宇;韩林超;刘新宇;李诚瞻;史晶晶 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层之上的肖特基接触；形成于该肖特基接触边缘处的P--SiC区域环，该P--SiC区域环作为该SiC肖特基二极管的结终端延伸(JTE)区域；形成于该P--SiC区域环上的n个肖特基金属环，n≥2；形成于该肖特基金属环之间的钝化层SiO2；形成于该钝化层SiO2上的场板；以及形成于该N+-SiC衬底背面的N型欧姆接触。本发明在使单区JTE的有效浓度低于优值浓度时，降低了器件的击穿电压对JTE浓度的敏感程度，同时避免了界面电荷对器件击穿电压的影响，有利于提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种SiC肖特基二极管，其特征在于，该SiC肖特基二极管包括：N+‑SiC衬底；形成于该N+‑SiC衬底之上的N‑‑SiC外延层；形成于该N‑‑SiC外延层之上的肖特基接触；形成于该肖特基接触边缘处的P‑‑SiC区域环，该P‑‑SiC区域环作为该SiC肖特基二极管的结终端延伸(JTE)区域；形成于该P‑‑SiC区域环上的n个肖特基金属环，n≥2；形成于该肖特基金属环之间的钝化层SiO2；形成于该钝化层SiO2上的场板；以及形成于该N+‑SiC衬底背面的N型欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;株洲南车时代电气股份有限公司，未经中国科学院微电子研究所;株洲南车时代电气股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210483401.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
