[发明专利]硅衬底上氮化镓生长方法有效
| 申请号： | 201210472736.X | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103137446B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈祈铭;刘柏均;林宏达;喻中一;蔡嘉雄;黃和涌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L29/06;H01L29/788;H01L33/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构包括：硅衬底；一个以上III族/V族(III‑V族)化合物半导体块层，位于硅衬底顶上；以及每个III‑V族化合物块层被中间层隔离。本发明还涉及硅衬底上氮化镓生长方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 氮化 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：硅衬底；图案化层，形成在所述硅衬底上方，其中，所述图案化层为导电材料；成核层，具有平坦上表面，其中，所述图案化层封装在所述成核层中；第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体块层，位于所述硅衬底上方；中间层，位于所述第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体块层上方；以及第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体块层，位于所述中间层上方，其中，所述中间层隔离所述第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体块层和所述第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体块层，并且所述中间层具有范围在30nm至200nm的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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