[发明专利]局部载流子寿命减少有效
| 申请号： | 201210448360.9 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103137618A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 亚历克斯·卡尔尼茨基;姚智文;蔡军;柳瑞兴;段孝勤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底中的第一功率器件和第二功率器件；位于第一和第二功率器件之间的至少一个隔离部件；以及位于衬底中的邻接至少一个隔离部件的俘获部件。本发明提供了局部载流子寿命减少的结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 载流子 寿命 减少 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底；第一功率器件和第二功率器件，都位于所述衬底中；至少一个隔离部件，位于所述第一功率器件和所述第二功率器件之间；以及俘获部件，位于所述衬底中，所述俘获部件邻接所述至少一个隔离部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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