[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的目的之一是提供一种可靠性高的半导体装置。在沟道被形成的氧化物半导体层上形成使用其绝缘性高于该氧化物半导体层的绝缘性的氧化物半导体材料的绝缘层。作为绝缘性高的氧化物半导体材料，使用包含元素M的以化学式InMZnOx(X＞0)表示的材料或包含元素M1及元素M2的以化学式(，注意小于0.3，并且（1‑X）＞0)表示的材料。作为元素M及元素M2，例如使用Ti、Zr、Hf、Ge、Ce、或Y。作为元素M1，例如使用Ga。

主权项

1.一种半导体装置，包括晶体管，所述晶体管包括：栅电极；栅极绝缘层；包括沟道的氧化物半导体层；保护层；源电极；以及漏电极，其中所述氧化物半导体层隔着所述栅极绝缘层与所述栅电极重叠，其中所述保护层隔着所述氧化物半导体层与所述栅极绝缘层重叠，其中所述氧化物半导体层包括结晶，所述结晶包括In、Ga及Zn，其中所述保护层包括In、元素M、以及Zn，其中所述元素M选自Ti、Zr、Hf、Ce或Y，其中所述保护层的端部在沿着所述晶体管的沟道长度方向的截面中具有锥形形状，以及其中所述源电极与所述氧化物半导体层的顶部表面的第一部分以及所述保护层的所述端部之一接触，以及其中所述漏电极与所述氧化物半导体层的所述顶部表面的第二部分以及所述保护层的所述端部的另一端部接触。