[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210447666.2 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103107200B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张金金;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括晶体管，所述晶体管包括：
栅电极；
栅极绝缘层；
包括沟道的氧化物半导体层；
保护层；
源电极；以及
漏电极，
其中所述氧化物半导体层隔着所述栅极绝缘层与所述栅电极重叠，
其中所述保护层隔着所述氧化物半导体层与所述栅极绝缘层重叠，
其中所述氧化物半导体层包括结晶，所述结晶包括In、Ga及Zn，
其中所述保护层包括In、元素
其中所述元素
其中所述保护层的端部在沿着所述晶体管的沟道长度方向的截面中具有锥形形状，以及
其中所述源电极与所述氧化物半导体层的顶部表面的第一部分以及所述保护层的所述端部之一接触，以及
其中所述漏电极与所述氧化物半导体层的所述顶部表面的第二部分以及所述保护层的所述端部的另一端部接触。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述保护层包括包含所述元素
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述保护层包括其绝缘性高于所述氧化物半导体层的绝缘性的氧化物半导体。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置是选自包括具有显示部的桌子、电视装置、计算机、以及平板终端的组中的一个。
5.一种半导体装置，包括晶体管，所述晶体管包括：
栅电极；
栅极绝缘层；
包括沟道的氧化物半导体层；
保护层；
源电极；以及
漏电极，
其中所述氧化物半导体层隔着所述栅极绝缘层与所述栅电极重叠，
其中所述保护层隔着所述氧化物半导体层与所述栅极绝缘层重叠，
其中所述氧化物半导体层包括结晶，所述结晶包括In、Ga及Zn，
其中所述保护层包括In、元素
其中所述元素
其中所述元素
其中所述保护层的端部在沿着所述晶体管的沟道长度方向的截面中具有锥形形状，以及
其中所述源电极与所述氧化物半导体层的顶部表面的第一部分以及所述保护层的所述端部之一接触，以及
其中所述漏电极与所述氧化物半导体层的所述顶部表面的第二部分以及所述保护层的所述端部的另一端部接触。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述保护层包括包含所述元素
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述保护层包括其绝缘性高于所述氧化物半导体层的绝缘性的氧化物半导体。
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