[发明专利]半导体封装结构的形成方法

摘要

一种半导体封装结构的形成方法，包括：在金属互连结构表面形成柱状电极，所述柱状电极底部周围暴露出部分金属互连结构；在所述柱状电极侧壁表面、顶部表面、柱状电极底部周围暴露出的金属互连结构表面形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层表面形成焊球，所述焊球至少包裹在所述柱状电极顶部表面和侧壁表面。由于在所述柱状电极侧壁表面、顶部表面、柱状电极周围暴露出的金属互连结构表面形成扩散阻挡层，使得柱状电极与所述焊球相隔离，不会形成锡铜界面合金化合物，焊球不容易从柱状电极脱落；且在所述扩散阻挡层表面形成焊球，所述焊球至少包裹在所述柱状电极顶部和侧壁的表面，使得外力对所述焊球进行拨动时，焊球不容易从柱状电极表面剥离。

主权项

一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供芯片，所述芯片表面具有金属互连结构，在所述芯片表面形成暴露出所述金属互连结构的绝缘层；在金属互连结构表面形成柱状电极，所述柱状电极底部周围暴露出部分金属互连结构，所述柱状电极的材料为铜；在所述柱状电极侧壁表面、顶部表面、柱状电极底部周围暴露出的金属互连结构表面形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层的剖面形状为“几”字形，所述扩散阻挡层的最下端平行于芯片表面且与金属互连结构相连接，所述扩散阻挡层的上端覆盖住所述柱状电极的侧壁和顶部表面，且所述扩散阻挡层适于防止形成锡铜界面合金化合物；在所述扩散阻挡层表面形成含锡的焊球，所述焊球至少包裹在所述柱状电极顶部表面和侧壁表面，其中，熔融状态的焊锡经过回流过程形成所述焊球，且熔融状态的焊锡与位于柱状电极表面的扩散阻挡层表面具有张力，使得焊锡覆盖在扩散阻挡层表面，以使形成的焊球与柱状电极的接触面至少包括顶部平面和侧壁弧面，且柱状电极和位于柱状电极侧壁的扩散阻挡层、焊锡的总宽度小于位于柱状电极上的焊球宽度。