[发明专利]沟槽形半导体结构的形成方法无效
| 申请号： | 201210442833.4 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103035488A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了沟槽形半导体结构的形成方法，本发明利用在多晶硅或非晶硅中掺入C填充沟槽，或者利用多晶SiC或非晶SiC以代替多晶硅或非晶硅填充沟槽，可以降低器件的应力，从而防止由于多晶或非晶硅的应力导致的硅内部的缺陷，可以获得低应力低缺陷密度的沟槽栅半导体结构或低电阻沟槽通路。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽形半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在硅衬底或硅外延上形成沟槽；2）全硅片进行热氧化膜生长，在沟槽顶部及侧壁形成氧化硅；3）利用含C的多晶硅或非晶硅填充沟槽，或者利用多晶SiC或非晶SiC填充沟槽；4）利用干法刻蚀或化学机械研磨方法去除沟槽顶部的多晶或非晶薄膜以及氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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