[发明专利]用于图案化形成的自组装单层有效
| 申请号： | 201210436875.7 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103578923B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 黄琮闵;李忠儒;黄建桦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及用于图案化形成的自组装单层，具体涉及一种用于制造半导体器件的工艺。在一些实施例中，半导体器件包括图案化表面。图案可以由自组装单层形成。公开的工艺提供可以快速沉积的自组装单层，因此，增加生产吞吐量并且减少成本，以及提供形状大致均匀的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 自组装单层 半导体器件 图案化 图案 图案化表面 快速沉积 增加生产 吞吐量 制造 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供具有图案化表面的半导体衬底；所述图案化表面由图案化牺牲层形成，所述图案化牺牲层形成在多层结构上，其中，所述多层结构包括形成在所述半导体衬底上方的第一过渡层、导电层和过渡层，所述图案化牺牲层覆盖所述过渡层并与所述过渡层直接接触；在所述图案化表面的上方沉积第一自组装单层，以在其上形成具有第一图案布置的第一自组装单层侧壁；以及使用所述第一自组装单层侧壁作为掩模来图案化所述过渡层和所述导电层并去除所述第一自组装单层侧壁和所述过渡层，以使所述导电层具有所述第一图案布置；在通过所述第一图案布置所创建的图案的上方沉积第二自组装单层，以在其上形成第二图案布置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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