[发明专利]用于半导体装置中的衬垫下电路的衬垫设计有效
申请号: | 201210432343.6 | 申请日: | 2012-11-02 |
公开(公告)号: | CN103094293A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 钱胤;戴幸志;顾克强;文森特·韦内齐亚;毛杜立;郑伟;霍华德·E·罗兹 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于半导体装置中的衬垫下电路的衬垫设计。半导体装置的实施例包含半导体衬底及安置在所述半导体衬底内的腔,所述腔至少从所述半导体衬底的第一侧延伸到所述半导体衬底的第二侧。所述半导体装置还包含绝缘层,所述绝缘层安置在所述半导体衬底的所述第一侧上且涂覆所述腔的侧壁。包含接合衬垫的导电层安置在所述绝缘层上。所述导电层延伸到所述腔内且连接到安置在所述半导体衬底的所述第二侧下方的金属堆叠。穿硅通孔衬垫安置在所述半导体衬底的所述第二侧下方且连接到所述金属堆叠。所述穿硅通孔衬垫经定位以接受穿硅通孔。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 装置 中的 衬垫 电路 设计 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,其包括:半导体衬底,其包括由外围电路区域围绕的光敏区域;腔,其安置在所述半导体衬底的所述外围电路区域内,所述腔至少从所述半导体衬底的第一侧一直延伸到所述半导体衬底的第二侧;绝缘层,其安置在所述半导体衬底的所述第一侧上且涂覆所述腔的侧壁;包括接合衬垫的导电层,其安置在所述绝缘层上及所述半导体衬底的所述第一侧上,其中所述导电层延伸到所述腔内且连接到安置在所述半导体衬底的所述第二侧下方的金属堆叠;及穿硅通孔“TSV”衬垫,其安置在所述半导体衬底的所述第二侧下方且连接到所述金属堆叠,其中所述TSV衬垫经定位以接受TSV。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的