[发明专利]一种检测半导体圆形接触孔圆度的方法有效
| 申请号： | 201210432250.3 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102944196A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 王恺;陈宏璘;龙吟;倪棋梁;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01B15/04 | 分类号： | G01B15/04 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测半导体圆形接触孔圆度的方法，其属于半导体制造技术领域，在半导体晶圆上设置多个检测电路结构：在半导体晶圆上设置N型有源区和P型有源区；采用二氧化硅隔离N型有源区和P型有源区；N型有源区设置在P型阱中，P型有源区设置在N型阱中；采用多晶硅栅桥接N型有源区和P型有源区，在两个有源区和多晶硅栅之间用栅氧化层隔离以形成互不导通的各自独立部分；在N型有源区上连接有圆形接触孔，在P型有源区和多晶硅栅上连接有椭圆形接触孔；检测圆形接触孔的圆度；上述技术方案的有益效果是：可以有效、全面地反映出接触孔圆度的工艺水平，为45纳米以下的先进接触孔工艺开发提供支持，缩短开发周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 半导体 圆形 接触 孔圆度 方法 | ||
【主权项】：
一种检测半导体圆形接触孔圆度的方法，采用电子束扫描设备对半导体晶圆上的圆形接触孔进行扫描；所述半导体晶圆下包括衬底，所述衬底与低电位相接；其特征在于，在所述半导体晶圆上设置多个检测电路结构，设置一个所述检测电路结构的具体步骤包括：步骤a，在所述半导体晶圆上设置N型有源区和P型有源区；步骤b，采用二氧化硅隔离所述N型有源区和所述P型有源区；所述N型有源区设置在P型阱中，所述P型有源区设置在N型阱中；步骤c，采用多晶硅栅桥接所述N型有源区和所述P型有源区，在两个有源区和所述多晶硅栅之间用栅氧化层隔离以形成互不导通的各自独立部分；步骤d，在所述N型有源区上连接有圆形接触孔，在所述P型有源区和所述多晶硅栅上连接有椭圆形接触孔；步骤e，采用所述电子束扫描设备检测所述圆形接触孔的圆度。
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