[发明专利]一种热电散热装置有效
申请号: | 201210422441.1 | 申请日: | 2012-10-29 |
公开(公告)号: | CN103794581A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 冯军宏;甘正浩 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/38 | 分类号: | H01L23/38 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种热电散热装置,包括:顶层芯片,其包括顶层基底以及贯穿顶层基底的P型硅通孔和第一金属硅通孔,P型硅通孔用于连接电源的零电位,第一金属硅通孔用于连接电源的正电位;中间层芯片,其叠置连接在顶层芯片下部,包括中间层基底和贯穿中间层基底的第二金属硅通孔和第三金属硅通孔,中间层芯片中形成有电子器件;底层芯片,其叠置连接在中间层芯片下部,包括底层基底和贯穿底层基底的N型硅通孔和第四金属硅通孔,并且两通孔在底层芯片的底部相互连通,其中,P型硅通孔、第二金属硅通孔和N型硅通孔顺次连接,且第一金属硅通孔、第三金属硅通孔和第四金属硅通孔顺次连接。该热电散热装置的散热效果得到提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 热电 散热 装置 | ||
【主权项】:
一种热电散热装置,其特征在于,包括:顶层芯片,其包括顶层基底以及贯穿所述顶层基底的P型硅通孔和第一金属硅通孔,所述P型硅通孔用于连接电源的零电位,所述第一金属硅通孔用于连接所述电源的正电位;中间层芯片,其叠置连接在所述顶层芯片下部,所述中间层芯片包括中间层基底和贯穿所述中间层基底的第二金属硅通孔和第三金属硅通孔,所述中间层芯片中形成有电子器件;底层芯片,其叠置连接在所述中间层芯片下部,所述底层芯片包括底层基底和贯穿所述底层基底的N型硅通孔和第四金属硅通孔,并且所述N型硅通孔和第四金属硅通孔在所述底层芯片的底部相互连通,其中,所述P型硅通孔、所述第二金属硅通孔和所述N型硅通孔顺次连接,且所述第一金属硅通孔、所述第三金属硅通孔和所述第四金属硅通孔顺次连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210422441.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于半导体晶圆的混合接合机制
- 下一篇:制造阵列基板的方法