[发明专利]一种热电散热装置有效
申请号: | 201210422441.1 | 申请日: | 2012-10-29 |
公开(公告)号: | CN103794581A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 冯军宏;甘正浩 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/38 | 分类号: | H01L23/38 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 热电 散热 装置 | ||
1.一种热电散热装置,其特征在于,包括:
顶层芯片,其包括顶层基底以及贯穿所述顶层基底的P型硅通孔和第一金属硅通孔,所述P型硅通孔用于连接电源的零电位,所述第一金属硅通孔用于连接所述电源的正电位;
中间层芯片,其叠置连接在所述顶层芯片下部,所述中间层芯片包括中间层基底和贯穿所述中间层基底的第二金属硅通孔和第三金属硅通孔,所述中间层芯片中形成有电子器件;
底层芯片,其叠置连接在所述中间层芯片下部,所述底层芯片包括底层基底和贯穿所述底层基底的N型硅通孔和第四金属硅通孔,并且所述N型硅通孔和第四金属硅通孔在所述底层芯片的底部相互连通,
其中,所述P型硅通孔、所述第二金属硅通孔和所述N型硅通孔顺次连接,且所述第一金属硅通孔、所述第三金属硅通孔和所述第四金属硅通孔顺次连接。
2.根据权利要求1所述的热电散热装置,其特征在于,所述顶层芯片还包括贯穿所述顶层基底的第五金属硅通孔,所述第五金属硅通孔用于连接所述电子器件。
3.根据权利要求1所述的热电散热装置,其特征在于,所述热电散热装置包括多组顺次连接的所述P型硅通孔、所述第二金属硅通孔和所述N型硅通孔。
4.根据权利要求3所述的热电散热装置,其特征在于,所述多组顺次连接的P型硅通孔、第二金属硅通孔和N型硅通孔围绕所述电子器件布置。
5.根据权利要求1所述的热电散热装置,其特征在于,所述底层芯片的底部设置有重分布层,所述N型硅通孔和第四金属硅通孔通过所述重分布层相互连通。
6.根据权利要求1所述的热电散热装置,其特征在于,所述硅通孔的顶部设有焊盘。
7.根据权利要求1所述的热电散热装置,其特征在于,所述P型硅通孔、所述第二金属硅通孔和所述N型硅通孔顺次通过焊球连接,且所述第一金属硅通孔、所述第三金属硅通孔和所述第四金属硅通孔顺次通过焊球连接。
8.根据权利要求1所述的热电散热装置,其特征在于,所述第一金属硅通孔、所述第二金属硅通孔、所述第三金属硅通孔和所述第四金属硅通孔的填充材料均为铜。
9.根据权利要求1所述的热电散热装置,其特征在于,所述P型硅通孔和所述N型硅通孔的填充材料为碲化铋、Sb2Te3、Bi2Te3、PbTe、SiGe、晶体声子玻璃或纳米材料。
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