[发明专利]制备半导体光检测装置的方法无效
申请号: | 201210415333.1 | 申请日: | 2012-10-26 |
公开(公告)号: | CN103094412A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 张岚;埃维莉娜·N.·路科;奥那尔·费丹尔;迈克尔·W.·威梅尔 | 申请(专利权)人: | 太阳光电公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 刘继富 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体光检测装置制备技术,其中,在单一的、自对准光刻模块中进行顶部蚀刻和防反射涂层步骤。 | ||
搜索关键词: | 制备 半导体 检测 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种制备半导体光检测装置的方法,包括以下步骤:提供包含其上具有生长的半导体光检测装置外延的衬底的晶圆,其中,在所述外延中的所述上部区域是顶部区域;然后使用光刻技术用顶部蚀刻图案中的顶部蚀刻光刻胶使所述晶圆图案化,所述顶部蚀刻图案限定触点区域;然后根据所述顶部蚀刻图案蚀刻掉暴露区域中的顶部区域;然后在不去除所述顶部蚀刻光刻胶的情况下在所述晶圆上施加防反射涂层;且然后使用剥离过程去除顶部蚀刻光刻胶,以暴露触点区域,并且仅剥离在所述触点区域上的防反射涂层,以便对准顶部区域和防反射涂层的图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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