[发明专利]一种自对准SOI FD MOSFET形成方法

摘要

本发明提供的是一种自对准SOI FD MOSFET形成方法。包括对硅薄膜层10进行P型掺杂；在硅薄膜层10上生长栅氧层11；在栅氧层11上淀积多晶硅12，氮化硅掩蔽层13；将氮化硅掩蔽层13两侧、埋氧层2之上的材料全刻蚀掉，将两侧埋氧层2刻蚀掉一定厚度；采用横向外延技术在栅区8两侧被刻蚀掉的空处生长外延层9，并对外延层9进行N型轻掺杂；栅区8上再次淀积氮化硅掩蔽层13，再一次刻蚀，使两侧外延生长的半导体层9表面和栅氧层6下表面相平；在栅电极两侧形成栅侧墙7。本发明本提供一种采用自对准和横向外延生长技术，提高器件质量和特性的自对准SOI FD MOSFET形成方法。

主权项

一种自对准SOI FD MOSFET形成方法，其特征在于包括以下步骤：①.采用SOI结构的半导体材料，具有一层半导体衬底（1），埋氧层（2）和硅薄膜层（10），埋氧层（2）位于半导体衬底（1）和硅薄膜层（10）之间，对硅薄膜层（10）进行P型掺杂；②.在硅薄膜层（10）上生长一层薄的栅氧层（11）；③.在栅氧层（11）之上淀积多晶硅层（12）作为栅电极层；④.选定栅电极位置，并在该位置上淀积氮化硅掩蔽层（13），以氮化硅掩蔽层（13）为掩膜对器件进行刻蚀，将氮化硅掩蔽层（13）两侧、埋氧层（2）之上的材料全部刻蚀掉，并且将两侧的埋氧层（2）刻蚀掉一定厚度，刻蚀深度由源漏区的硅膜厚度决定，至此形成了栅氧层（6）和栅区（8）以及较薄的源漏区埋氧层（2）和P型体区（5）；⑤.采用横向外延技术在栅区（8）两侧被刻蚀掉的空处生长外延层（9），并对外延层（9）进行N型轻掺杂；⑥.栅区（8）上再次淀积氮化硅掩蔽层（13），再一次对器件进行刻蚀，刻蚀结果使得两侧外延层（9）表面和栅氧层（6）下表面相平；⑦.淀积栅侧墙介质层，回刻后在栅电极两侧形成栅侧墙（7）；⑧.以栅侧墙（7）为界，向栅侧墙（7）两侧的源漏区继续注入离子进行掺杂，形成N+掺杂源漏区（4），栅侧墙下方的源漏区（3）仍保持N型轻掺杂；⑨.最后进入常规MOS厚道工序，包括淀积钝化层、开金属孔以及金属化，即可制得所述的MOS晶体管。