[发明专利]等离子体引入损伤检测结构及制作方法有效
| 申请号： | 201210414665.8 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103779331A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陆黎明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种等离子体引入损伤检测结构及制作方法，使用虚拟金属焊接盘连线连接多个虚拟金属焊接盘使之成为新的天线结构用于收集电荷，提高了天线结构的总体面积，从而提高天线比率，使等离子引入损伤发生的几率增加，进而便于快速发现导致所述半导体器件发生等离子体引入损伤的原因。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 引入 损伤 检测 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体引入损伤检测结构，包括：半导体器件、层间介质层和形成于层间介质层中的至少一个金属互连层；其中，所述金属互连层包括金属焊接盘、多个虚拟金属焊接盘以及金属通孔连线，至少部分所述虚拟金属焊接盘通过虚拟金属焊接盘连线与金属焊接盘电连接，所述金属焊接盘通过金属焊接盘连线与金属通孔连线电连接，所述金属通孔连线与所述半导体器件电连接。
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