[发明专利]复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件有效
申请号: | 201210405260.8 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN103059393B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 田信爱;康玄雅;张银珠;权秀暻;章效淑 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | C08L23/08 | 分类号: | C08L23/08;C08K3/30;C09K11/00;C09K11/02;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 金拟粲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件,所述复合物包括半导体纳米晶体、具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(‑COO‑)的聚合物、和能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子。 | ||
搜索关键词: | 复合物 制备 组合 方法 包括 复合 器件 | ||
【主权项】:
半导体纳米晶体‑聚合物复合物,包括:半导体纳米晶体;具有羧酸根阴离子基团(‑COO‑)的聚合物,所述羧酸根阴离子基团(‑COO‑)能够与所述半导体纳米晶体的表面结合;和能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子,其中所述具有羧酸根阴离子基团的聚合物具有50℃~400℃的熔点(Tm),和其中所述具有羧酸根阴离子基团的聚合物为选自如下的聚(烯烃‑共‑(甲基)丙烯酸)的离子化的聚合物:聚(烯烃‑共‑丙烯酸);聚(烯烃‑共‑甲基丙烯酸);及其组合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210405260.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。