[发明专利]复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件

权利要求书

1.半导体纳米晶体-聚合物复合物，包括：

半导体纳米晶体；

具有羧酸根阴离子基团(-COO^-)的聚合物，所述羧酸根阴离子基团(-COO^-)能够与所述半导体纳米晶体的表面结合；和

能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子。

2.权利要求1的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述半导体纳米晶体选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物、及其组合。

3.权利要求1的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述具有羧酸根阴离子基团的聚合物以1~100摩尔%的量包括含有羧酸根阴离子基团的结构单元。

4.权利要求1的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中以基于100重量份的所述半导体纳米晶体的50~10,000重量份的量包括所述具有羧酸根阴离子基团的聚合物。

5.权利要求1的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述具有羧酸根阴离子基团的聚合物具有50℃~400℃的熔点(Tm)。

6.权利要求1的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述具有羧酸根阴离子基团的聚合物为包括亚烷基结构单元和由以下化学式1表示的结构单元的聚合物：

[化学式1]

其中，在化学式1中，

R¹为取代或未取代的C2~C20直链或支链亚烷基，

R²为氢或甲基，和

R³为单键；取代或未取代的C1~C50亚烷基；取代或未取代的C2~C50亚烯基；其中至少一个亚甲基(-CH₂-)被如下代替的C2~C50亚烷基：磺酰基基团(-SO₂-)、羰基基团(CO)、醚基团(-O-)、硫醚基团(-S-)、亚砜基团(-SO-)、酯基团(-C(=O)O-)、酰胺基团(其中R为氢或C1~C10烷基的-C(=O)NR-)、其中R为氢或C1~C10烷基的-NR-基团、或其组合；或者其中至少一个亚甲基(-CH₂-)被如下代替的C3~C50亚烯基：磺酰基基团(-SO₂-)、羰基基团(CO)、醚基团(-O-)、硫醚基团(-S-)、亚砜基团(-SO-)、酯基团(-C(=O)O-)、酰胺基团(-C(=O)NR-)(其中R为氢或C1~C10烷基)、-NR-基团(其中R为氢或C1~C10烷基)、或其组合。

7.权利要求1的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述金属阳离子以基于1摩尔的所述聚合物的所述羧酸根阴离子基团的0.1~1.5摩尔存在。

8.权利要求1的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述金属阳离子选自碱土金属、稀土元素、过渡元素、12族元素、13族元素、及其组合。

9.权利要求1的半导体纳米晶体-聚合物复合物，其中所述金属阳离子为选自以下的金属的阳离子：Mg、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg、Tl、及其组合。

10.用于半导体纳米晶体-聚合物复合物的制造的组合物，包括：

半导体纳米晶体；

具有羧基(-COOH)的聚合物；和

包括能够与所述羧基结合的金属阳离子的金属化合物。

11.权利要求10的组合物，其中所述半导体纳米晶体选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物、及其组合。

12.权利要求10的组合物，其中所述具有羧基的聚合物以1~100摩尔%的量包括在聚合物中的含有羧基的结构单元。

13.权利要求10的组合物，其中以基于100重量份的所述半导体纳米晶体的50~10,000重量份的量包括所述具有羧基的聚合物。

14.权利要求10的组合物，其中所述具有羧基的聚合物具有50℃~300℃的熔点(T_m)。