[发明专利]一种半导体器件的测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201210398728.5 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103779328A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的测试结构及测试方法，所述测试结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包含有源区；测试结构区，位于所述半导体衬底上，所述测试结构区包括至少两个测试件，其中至少一第一测试件呈梳状结构；至少一第二测试件呈梳状结构或者蛇形弯曲结构，并且所述两个测试件相对交错设置，并与所述有源区相连接；虚拟金属区，位于所述测试结构区的周围，用于聚集湿度。本发明所述测试结构能更好的对器件制备过程中腐蚀程度进行评价，以消除腐蚀以及空隙所带来的影响，提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的测试结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包含有源区；测试结构区，位于所述半导体衬底上，所述测试结构区包括至少两个测试件，其中至少一第一测试件呈梳状结构；至少一第二测试件呈梳状结构或者蛇形弯曲结构，并且所述两个测试件相对交错设置，并与所述有源区相连接；虚拟金属区，位于所述测试结构区的周围，用于聚集湿度。
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