[发明专利]一种Ag2E纳米线的制备方法

摘要

本发明提供一种Ag₂E纳米线的制备方法，其中E为硫，或硒，或碲，其特征在于包括如下步骤：（1）配料：将硝酸银加入盛有去离子水的烧杯中，再依次加入碱、络合剂和模板剂，搅拌使其充分溶解，然后加入含硫、或硒，或碲的化合物，最后加入还原剂，充分溶解后停止搅拌；其中硝酸银与硫，或硒，或碲的化合物按照原子比2：1的量加入，硝酸银浓度为0.01mol/L～0.08mol/L；（2）恒温反应；（3）洗涤；（4）干燥。本发明原料便宜易得，工艺简单，容易实现规模化生产。合成的硫化银、硒化银和碲化银纳米线可广泛应用于快离子导体，非线性光学器件、光电二次电池，多功能离子选择电极，相变存储器件、热电器件、磁场探测器等。

主权项

一种Ag₂E纳米线的制备方法，其中E为硫，或硒，或碲，其特征在于包括如下步骤： （1）配料：将硝酸银加入盛有去离子水的烧杯中，再依次加入碱、络合剂和模板剂，搅拌使其充分溶解，然后加入含硫、或硒，或碲的化合物，最后加入还原剂，充分溶解后停止搅拌；其中硝酸银与硫，或硒，或碲的化合物按照原子比2：1的量加入，硝酸银浓度为0.01 mol / L～0.08 mol / L；（2）恒温反应；（3）洗涤：对于得到的纳米粉体，用去离子水洗涤，采用离心机沉淀或抽滤设备进行过滤，过滤产物重新在去离子水中分散，反复过滤直到滤液pH值为7，最后用无水乙醇洗涤以方便干燥；（4）干燥：在真空烘箱中烘干，真空干燥条件为真空度<133Pa。