[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201210393669.2 | 申请日： | 2012-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103730369B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;赵治国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括在衬底上形成刻蚀停止层和假栅极层；湿法腐蚀假栅极层，形成假栅极图形；在假栅极图形周围形成栅极侧墙；湿法腐蚀去除假栅极图形，留下栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠。依照本发明的半导体器件制造方法，利用外延单晶薄膜作为假栅极以及湿法刻蚀假栅极的停止层，在提高栅极剖面形态的垂直度的同时，还能避免底部拐角衬底侵蚀，有效提高器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成单晶刻蚀停止层和单晶假栅极层；湿法腐蚀单晶假栅极层，停止在单晶刻蚀停止层上，形成假栅极图形；在假栅极图形周围形成栅极侧墙；湿法腐蚀去除假栅极图形，留下栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
