[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上形成单晶刻蚀停止层和单晶假栅极层；

湿法腐蚀单晶假栅极层，停止在单晶刻蚀停止层上，形成假栅极图形；

在假栅极图形周围形成栅极侧墙；

湿法腐蚀去除假栅极图形，留下栅极沟槽；

在栅极沟槽中形成栅极堆叠。

2.如权利要求1的方法，其中，采用外延生长形成刻蚀停止层和假栅极层。

3.如权利要求1的方法，其中，刻蚀停止层还向衬底施加应力。

4.如权利要求1的方法，其中，假栅极层为单晶Si，采用TMAH湿法腐蚀。

5.如权利要求1的方法，其中，假栅极图形的侧壁为(111)晶面。

6.如权利要求1的方法，其中，形成假栅极图形之后，形成栅极侧墙之前还包括：在所述假栅极图形两侧，衬底之中形成轻掺杂的源漏扩展区。

7.如权利要求1的方法，其中，形成栅极侧墙之后，湿法腐蚀去除假栅极层之前进一步包括：

在所述栅极侧墙两侧，衬底之中形成重掺杂的源漏区；

形成层间介质层，覆盖刻蚀停止层、栅极侧墙和假栅极图形；

平坦化层间介质层直至暴露假栅极图形。

8.如权利要求1的方法，其中，刻蚀停止层包括单晶的SiGe、Si:C、Si:H、SiGe:C或组合。

9.如权利要求1的方法，其中，栅极侧墙包括氮化硅、氮氧化硅、类金刚石无定形碳或组合。