[发明专利]一种具有三维桥墩式沟道结构的半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201210390959.1 | 申请日： | 2012-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103730489A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 盛况;谢刚;汤岑;郭清;汪涛;崔京京 | 申请（专利权）人： | 浙江大学苏州工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有桥墩式沟道结构的半导体装置，本发明的半导体装置为平面型结构器件；本发明的半导体装置具有采用深槽结构的栅极电极；本发明的半导体装置具有采用等间距间隔分布的桥墩式深槽结构；本发明的半导体装置具有栅极电极下方的绝缘层。在传统的凹槽型绝缘栅HEMT器件的基础上，通过将栅极电极下方的绝缘深槽进行等间距间隔分布，引入了额外的2DEG导电沟道，且该沟道不受到绝缘层侧壁工艺的影响，从而降低了导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 三维 桥墩 沟道 结构 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有三维桥墩式沟道结构的半导体装置，其特征：栅极电极；源极电极和漏极电极；一系列III族氮化物层，其形成具有与所述源极电极，漏极电极形成欧姆接触，栅极电极通过绝缘层与之隔离的N面堆叠。
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