[发明专利]一种具有三维桥墩式沟道结构的半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种具有三维桥墩式沟道结构的半导体装置，其特征：

栅极电极；

源极电极和漏极电极；

一系列III族氮化物层，其形成具有与所述源极电极，漏极电极形成欧姆接触，栅极电极通过绝缘层与之隔离的N面堆叠。

2.如权利要求1所述的器件，其中，所述最上层是其中在器件的接入区形成2DEG的沟道势垒层。

3.如权利要求1所述的器件，其中，所述沟道势垒层下方是器件形成2DEG的沟道导通层。

4.如权利要求1所述的器件，其中，所述隔断栅极电极同沟道势垒层的是阻挡泄漏电流的绝缘层。

5.如权利要求1所述的器件，其中，所述绝缘层存在着深入沟道势垒层和沟道导通层的深槽结构。

6.如权利要求1所述的器件，其中，所述栅极电极存在着深入沟道势垒层和沟道导通层的深槽结构，并始终由绝缘层使之同III族氮化物层电隔离。

7.如权利要求1所述的器件，其中，所述由沟道势垒层同沟道导通层形成的2DEG水平沟道的数量至少为一个。

8.如权利要求1所述的器件，其中所述栅极电极下方深入沟道势垒层和沟道导通层的深槽结构存在水平面上，垂直于2DEG沟道方向上的等间距间断分布。

9.如权利要求1所述的器件，沿着垂直于所述2DEG沟道方向上的等间距间断分布的深槽结构的数量至少为两个。

10.如权利要求1所述的器件，其中所述深槽结构之间的间隔可以通过控制，以使得其在所述栅极电极未施加电压的情况下，深槽结构之间不存在2DEG，则该器件为常断型器件。

11.如权利要求1所述的器件，其中所述深槽结构之间的间隔也可以通过控制，以使得其在所述栅极电极未施加电压的情况下，深槽结构之间存在2DEG，则该器件为常通型器件。

12.如权利要求1所述的器件，其中所述深槽结构可以深入至器件底部，阻断深槽底部的2DEG导通。

13.如权利要求1所述的器件，其中所述深槽结构上的栅极电极，可以包括朝着所述漏极电极延伸的栅极场板。

14.如权利要求1所述的器件，其中所述深槽结构上的栅极电极，可以包括朝着所述深槽间隔区域延伸的栅极场板。

15.如权利要求1所述的器件，可以包括朝着所述栅极电极延伸的漏极场板。

16.如权利要求1所述的器件，其所述栅极电极可以为非矩形形状。

17.如权利要求1所述的器件，其所述桥墩深槽所夹区域可以为非矩形形状。

18.一种具有三维桥墩式沟道结构的半导体装置，其特征：

栅极电极；

源极电极和漏极电极；

一系列III族氮化物层，其形成具有与所述源极电极，漏极电极形成欧姆接触，栅极电极通过绝缘层与之隔离的Ga面堆叠。

19.如权利要求18所述的器件，其中，所述最上层是其中在器件的接入区形成2DEG的沟道势垒层。

20.如权利要求18所述的器件，其中，所述沟道势垒层下方是器件形成2DEG的沟道导通层。

21.如权利要求18所述的器件，其中，所述隔断栅极电极同沟道势垒层是阻挡泄漏电流的绝缘层。

22.如权利要求18所述的器件，其中，所述绝缘层存在着深入沟道势垒层和沟道导通层的深槽结构。

23.如权利要求18所述的器件，其中，所述栅极电极存在着深入沟道势垒层和沟道导通层的深槽结构，并始终由绝缘层使之同III族氮化物层电隔离。

24.如权利要求18所述的器件，其中，所述由沟道势垒层同沟道导通层形成的2DEG水平沟道的数量至少为一个。 

25.如权利要求18所述的器件，其中栅极电极下方深入沟道势垒层和沟道导通层的深槽结构存在水平面上，垂直于2DEG沟道方向上的等间距间断分布。

26.如权利要求18所述的器件，沿着垂直于所述2DEG沟道方向上的等间距间断分布的深槽结构的数量至少为两个。