[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法

摘要

本发明的目标是提供一种CMOS图像传感器的制造方法，该方法能够防止在CMOS图像传感器中由配线升起现象引起的小丘缺陷。为此，本发明提供一种CMOS图像传感器的制造方法，包括步骤：准备在其上形成有第一金属配线的基板；在第一金属配线上形成层间绝缘层；蚀刻层间绝缘层以形成暴露第一金属配线的一部分的接触孔；沿接触孔的内表面在层间绝缘层上形成缓冲层；进行热处理工艺；蚀刻缓冲层以在接触孔的内壁形成间隔物；沿层间绝缘层的包括间隔物的内表面形成阻挡金属层；在阻挡金属层上形成接触插塞以使得接触孔被掩埋；以及在层间绝缘层上形成第二金属配线以使得第二金属配线连接到接触插塞。

主权项

一种制造CMOS图像传感器的方法，该方法包括：在所述图像传感器的基板上形成第一金属互连；在所述第一金属互连上形成层间绝缘层；形成穿过所述层间绝缘层的接触孔，以暴露所述第一金属互连；在所述接触孔的内侧壁上形成间隔物；在所述间隔物的内侧壁上形成阻挡金属层；用导电材料填充所述接触孔，以在所述阻挡金属层上形成接触插塞。