[发明专利]半导体发光元件制造方法无效
| 申请号： | 201210385858.5 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103078029A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 梁秉文 | 申请（专利权）人： | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光元件制造方法。所述制造方法包括：提供一具有多个透明突起的第一衬底；在所述第一衬底上沉积半导体材料层；在所述半导体材料层上贴付第二衬底；通过机械磨削和刻蚀方法中至少一种方法减薄所述第一衬底，直至露出半导体材料层，并至少保留所述透明突起的一部分；在所述经过减薄所述第一衬底得到的表面上形成电极焊盘。本发明的制造方法可以提高所述半导体发光元件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件制造方法，所述制造方法包括：提供一上侧具有多个透明突起的第一衬底；在所述第一衬底上侧沉积半导体材料层；在所述半导体材料层上贴付第二衬底；减薄所述第一衬底，直至露出所述半导体材料层，并至少保留所述透明突起的一部分；在所述通过减薄所述第一衬底得到的表面上形成电极焊盘。
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