[发明专利]一种化合物半导体太阳能电池有效
| 申请号： | 201210384264.2 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102881736A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 宋明辉;林桂江;丁杰;刘建庆 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化合物半导体太阳能电池，其特征在于：在电池欧姆接触叠层内插入一隧穿结，从而改变欧姆接触层表面的导电类型。对于本发明所公开的外延结构，其欧姆接触层内插入的隧穿结厚度较薄，将不会导致电池外延成本的有效增加；另一方面电池欧姆接触层表面导电类型的改变，将使得可以选用较为廉价的金属用于制作电池芯片电极，即在保证电池性能的前提下，有效降低了太阳能电池的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体太阳能电池，包括一衬底，电池活性层，欧姆接触叠层，其特征在于：所述欧姆接触叠层插入一隧穿结，从而改变欧姆接触叠层表面的导电类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
