[发明专利]垂直非对称环栅MOSFET器件的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210381165.9 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931237A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 王颖;单婵;曹菲;邵雷 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的是一种垂直非对称环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区107，在栅氧化层109上淀积多晶硅栅110。本发明本提供一种有效抑制短沟道效应的作用的垂直非对称环栅MOSFET结构，还提供一种可以简化工艺流程，灵活控制栅长和硅体区厚度的垂直非对称环栅MOSFET的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 对称 mosfet 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
垂直非对称环栅MOSFET器件的结构为：包括底层n型硅晶圆衬底（101），漏区（111）位于器件的最低端；其特征是：在n型硅晶圆衬底（101）上外延生长漏扩展区（106），沟道区（107），和源区（108），栅氧化层（109）包围整个沟道区（107），在栅氧化层（109）上淀积多晶硅栅（110）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工程大学，未经哈尔滨工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210381165.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新组合及应用
- 下一篇：新的CCR2受体拮抗剂及其用途
- 同类专利
- 专利分类
