[发明专利]一种半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210374454.6 | 申请日： | 2009-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102881580A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 骆统;苏金达;杨大弘;陈光钊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/768;H01L23/532;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体装置及其制造方法。该制造方法是先提供半导体基材(如裸硅)，并在半导体基材上形成介电层。藉由移除部分介电层,可在介电层中提供开口。共形的第一导电层是形成于介电层与开口上,共形的第二导电层是形成于第一导电层上，共形的势垒层是形成于第二导电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于该方法制造包括：提供一基材；在该基材上形成一介电层；在该介电层内提供一开口；在该介电层与该开口上利用物理气相沉积法形成一第一钛层；在该第一导电层上利用化学气相沉积法形成一第二钛层；以及在该第二钛层上形成一势垒层；其中该第一钛层与该第二钛层直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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