[发明专利]一种防止金属迁移的半导体发光器件有效
| 申请号： | 201210372376.6 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102931314A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 钟志白;李水清;杨建健;张灿源;梁兆煊 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止金属迁移的半导体发光器件，其包括由n型半导体层、发光层、p型半导体层构成的多层发光结构；反射层形成于所述P型半导体层上，含有易迁移金属；阱环结构，形成于所述P型半导体层，并包围所述反射层，防止反射层的金属向侧壁迁移；金属覆盖层，覆盖所述反射层，并向所述阱环结构延伸，与阱环外的P型半导体形成良好欧姆接触。在本发明中在p型半导体层形成阱环结构，其包围反射层，从而在反射层外围形成“钉扎”效果，阻止反射层金属沿着反射层与P型半导体的接触面向器件边缘迁移，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 金属 迁移 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种防止金属迁移的半导体发光器件，包括由n型半导体层、发光层、p型半导体层构成的多层发光结构，其特征在于：还包括反射层，形成于所述P型半导体层上，含有易迁移金属；阱环结构，形成于所述P型半导体层，并包围所述反射层，防止反射层的金属向侧壁迁移； 金属覆盖层，覆盖所述反射层，并向所述阱环结构延伸。
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