[发明专利]屏蔽插入机构及具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装有效
| 申请号： | 201210371173.5 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103296010A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 桑帕施·K·V·卡里卡兰;胡坤忠;赵子群;雷佐尔·拉赫曼·卡恩;彼得·沃伦坎普;陈向东 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及屏蔽插入机构及具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装。在本发明中公开了位于顶部有源管芯与底部有源管芯之间用于屏蔽所述有源管芯避免电磁噪声的屏蔽插入机构的多种实施方式。一种实施方式包括插入机构介质层、所述插入机构介质层内的硅通孔（TSV）、以及电磁屏蔽物。TSV将电磁屏蔽物连接到第一固定电位上。所述电磁屏蔽物可以包括侧向延伸横过屏蔽插入机构的导电层格栅。所述屏蔽插入机构还可以包括连接到另一固定电位上的另一个电磁屏蔽物。本发明还公开了具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 插入 机构 具有 集成 电磁 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种位于顶部有源管芯与底部有源管芯之间用于屏蔽所述顶部有源管芯以及所述底部有源管芯避免电磁噪声的屏蔽插入机构，所述屏蔽插入机构包括：插入机构介质层；所述插入机构介质层内的硅通孔（TSV）；通过所述TSV连接到固定电位上的电磁屏蔽物。
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