[发明专利]半导体外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201210371013.0 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102856359A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 程凯 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215124 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体外延结构及其生长方法，该半导体外延结构包括：形成于硅衬底上的成核层；形成于所述成核层上的氮化物层，所述氮化物层包括第一氮化物层和第二氮化物层；位于所述第一氮化物层和第二氮化物层之间的插入层，所述插入层中包括铝铟氮，其中铟的组分小于18%。本发明在氮化物层中引入含有铟元素的插入层，同时整个外延结构都生长在高温条件下，避免了低温插入层引入的大量缺陷，晶体质量要好于低温插入层的结果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体外延结构，其特征在于，包括：形成于硅衬底上的成核层；形成于所述成核层上的氮化物层，所述氮化物层包括第一氮化物层和第二氮化物层；位于所述第一氮化物层和第二氮化物层之间的插入层，所述插入层中包括铝铟氮，其中铟的组分小于18%。
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