[发明专利]用于生产功率半导体设置的方法有效
| 申请号： | 201210368228.7 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103035542A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | K.古特;T.施托尔策;G.施特罗特曼 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;李浩 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在用于生产功率半导体设置的方法中，提供具有顶侧的电介质绝缘载体和在所述顶侧上设置的顶部金属化层。还提供半导体芯片以及至少一个导电接触引脚，每一个引脚具有第一末端和相对的第二末端。所述半导体芯片被烧结或扩散焊接到顶部金属化层。在第一末端与顶部金属化层之间形成导电连接，其中接触引脚的导电连接材料与顶部金属化层的材料直接物理接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 功率 半导体 设置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生产功率半导体设置的方法，包括：提供具有平面顶侧的电介质绝缘载体和在所述平面顶侧上设置的顶部金属化层；提供半导体芯片；通过半导体芯片与顶部金属化层之间的连接层将半导体芯片与顶部金属化层结合，所述连接层是通过扩散焊接或通过烧结而产生的；提供每个包括第一末端的多个即N≥1个导电接触引脚；以及对于每一个接触引脚在顶部金属化层与第一末端之间形成导电连接，其中接触引脚的导电连接材料与顶部金属化层的材料直接物理接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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