[发明专利]用于生产功率半导体设置的方法

权利要求书

1.一种用于生产功率半导体设置的方法，包括：

提供具有平面顶侧的电介质绝缘载体和在所述平面顶侧上设置的顶部金属化层；

提供半导体芯片；

通过半导体芯片与顶部金属化层之间的连接层将半导体芯片与顶部金属化层结合，所述连接层是通过扩散焊接或通过烧结而产生的；

提供每个包括第一末端的多个即N≥1个导电接触引脚；以及

对于每一个接触引脚在顶部金属化层与第一末端之间形成导电连接，其中接触引脚的导电连接材料与顶部金属化层的材料直接物理接触。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述顶侧金属化具有以下各项之一或二者：

至少100μm的厚度；

小于或等于2mm的厚度。

3.如权利要求1所述的方法，其中一个或更多或所有接触引脚与顶部金属化层之间的导电连接是熔接连接。

4.如权利要求1所述的方法，其中一个或更多或所有接触引脚与顶部金属化层之间的导电连接是通过以下各项之一产生的：

激光或电子束熔接；

电阻熔接；

旋转熔接；

摩擦熔接；

线性或扭转超声熔接；以及

球焊。

5.如权利要求1所述的方法，其中一个或更多或所有接触引脚的第一末端和顶部金属化层被形成为凸缘。

6.如权利要求1所述的方法，其中一个或更多或所有接触引脚包括具有矩形或圆形外周的轴杆。

7.如权利要求1所述的方法，其中一个或更多或所有接触引脚包括实心轴杆。

8.如权利要求1所述的方法，其中一个或更多或所有接触引脚包括中空轴杆。

9.如权利要求8所述的方法，其中：

一个或更多或所有接触引脚在对应的第二末端处包括开口；并且

对应的接触引脚与顶部金属化层之间的熔接连接是通过射束熔接方法产生的，其中熔接射束进入所述开口并且延伸穿过所述中空轴杆一直到第一末端。

10.如权利要求9所述的方法，其中对应的接触引脚的中空轴杆包括与第一和第二末端远离间隔且限定所述中空轴杆内部的狭窄通道的第一引脚孔洞。

11.如权利要求1所述的方法，其中一个或更多或所有接触引脚的第二末端被形成为以下各项之一：

分叉的末端；

机械补偿元件；

笔直末端；以及

公或母压合连接器。

12.如权利要求1所述的方法，其中一个或更多或所有接触引脚与顶部金属化层之间的熔接连接是以下各项中的至少一个：

无焊料；

无粘合剂；以及

无烧结连接层。

13.如权利要求1所述的方法，其中一个或更多或所有接触引脚由铜制成或者包括按重量计至少90%铜，或者由铝制成或者包括按重量计至少90%铝。

14.如权利要求1所述的方法，其中顶侧金属化由铜制成或者包括按重量计至少90%铜，或者由铝制成或者包括按重量计至少90%铝。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述绝缘载体由陶瓷材料制成。

16.如权利要求1所述的方法，其中在顶部金属化层与一个或更多或所有接触引脚的第一末端之间形成导电连接之后，顶部金属化的厚度与在对应的接触引脚和顶侧之间的距离之间的差小于0.1mm。

17.如权利要求1所述的方法，其中至少一个接触引脚与半导体芯片之间的距离小于或等于0.7mm。

18.如权利要求1所述的方法，其中至少一个接触引脚与半导体芯片的侧向边缘之间的距离小于或等于0.7mm。

19.如权利要求1所述的方法，其中N≥2并且在第一末端与顶部金属化层之间形成熔接连接。

20.如权利要求19所述的方法，其中至少两个接触引脚以小于或等于0.7mm的重复距离设置。