[发明专利]一种发光二极管及其缓冲层的制备方法无效
| 申请号： | 201210366990.1 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103700743A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 林桂荣;庄文荣;孙明;颜建锋;敖辉 | 申请（专利权）人： | 江苏汉莱科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;C23C16/455;C23C16/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其缓冲层的制备方法,所述发光二极管包括：蓝宝石衬底，依次形成于蓝宝石衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源发光层、P型半导体层，所述的缓冲层材料为InxGa1-xN，在整个外延缓冲层生长过程中，缓冲层中In、Ga的含量处于梯度变化的过程，x是不断变化的过程，x从开始的1到缓冲层生长结束时为0，即缓冲层中In的量是不断递减的过程，Ga的量是不断递增的过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 缓冲 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其依次包括蓝宝石衬底、缓冲层、N型半导体层、有源发光层、P型半导体层，其特征在于缓冲层为InxGa1‑xN，沿蓝宝石衬底往上x为递减，即在缓冲层中In的含量从下至上递减，Ga的含量从下至上递增，0≤x≤1。
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