[发明专利]一种发光二极管及其缓冲层的制备方法无效
| 申请号： | 201210366990.1 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103700743A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 林桂荣;庄文荣;孙明;颜建锋;敖辉 | 申请（专利权）人： | 江苏汉莱科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;C23C16/455;C23C16/34 |
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| 地址： | 213164 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 缓冲 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管，其依次包括蓝宝石衬底、缓冲层、N型半导体层、有源发光层、P型半导体层，其特征在于缓冲层为InxGa1-xN，沿蓝宝石衬底往上x为递减，即在缓冲层中In的含量从下至上递减，Ga的含量从下至上递增，0≤x≤1。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该缓冲层的厚度在100?至1000?之间。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该缓冲层的厚度在100?至1000?之间。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该缓冲层的厚度为300?。
5.权利要求1-4各项所述的发光二极管的缓冲层的制备方法，其特征在于MOCVD反应室中生长缓冲层的压力为50-760torr, 载源气体为氮气，反应气体为氨气，开始时温度控制在450℃至800℃之间,TMIn的流量控制在300±10%cc.mole/min,TMGa的流量由0 cc.mole/min开始匀速增加，直至缓冲层生长至缓冲层总厚度的1/4时，TMGa的流量达到300±10%cc.mole/min,并维持此流量，开始匀速降低TMIn的流量，至缓冲层生长至缓冲层总厚度的3/4时，TMIn的流量降低至原流量的1/4，维持此流量，同时TMGa的流量仍然不变，其生长温度开始匀速升高，载气由氮气匀速转变成氢气，当缓冲层生长结束时其温度为900-1100℃，载气完全为氢气。
6.根据权利要求5所述制备方法，其特征在于MOCVD反应室中生长缓冲层的压力为300-450torr,开始时温度控制在500℃至600℃之间，载源气体为氮气，当生长至缓冲层总厚度的3/4时，其生长温度开始匀速升温，载气由氮气匀速转变成氢气，当缓冲层生长结束时其温度为1000-1100℃，载气为氢气。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于开始时其在MOCVD反应室中生长缓冲层的温度控制在550℃，当生长至缓冲层总厚度的3/4时，其生长温度开始匀速升温，当缓冲层生长结束时其温度为1100℃。
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