[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置

摘要

本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置。提高具有氧化膜和氮化膜的层合构造的绝缘膜的膜厚均匀性等。实施如下工序：通过对于处于小于大气压的压力下的处理容器内的被加热到第一温度的衬底实施规定次数的包括供给第一原料气体的工序和供给氧化气体及还原气体的工序的循环，由此在衬底上形成氧化膜的工序；通过对于处理容器内的被加热到第一温度以上第二温度以下的温度的衬底供给氮化气体，由此在氧化膜的表面上形成种晶层的工序；通过对于处理容器内的被加热到第二温度的衬底实施规定次数的包括供给第二原料气体的工序和供给氮化气体的工序的循环，由此在形成在氧化膜的表面上的种晶层上形成氮化膜的工序。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述工序：通过对于处于小于大气压的压力下的处理容器内的被加热到第一温度的衬底实施规定次数的包括供给第一原料气体的工序和供给氧化气体及还原气体的工序的循环，由此在所述衬底上形成氧化膜的工序；通过对于所述处理容器内的被加热到所述第一温度以上第二温度以下的温度的所述衬底供给氮化气体，由此在所述氧化膜的表面上形成种晶层的工序；通过对于所述处理容器内的被加热到所述第二温度的所述衬底实施规定次数的包括供给第二原料气体的工序和供给所述氮化气体的工序的循环，由此在形成在所述氧化膜的表面上的所述种晶层上形成氮化膜的工序。