[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述工序：

通过对于处于小于大气压的压力下的处理容器内的被加热到第一温度的衬底实施规定次数的包括供给第一原料气体的工序和供给氧化气体及还原气体的工序的循环，由此在所述衬底上形成氧化膜的工序；

通过对于所述处理容器内的被加热到所述第一温度以上第二温度以下的温度的所述衬底供给氮化气体，由此在所述氧化膜的表面上形成种晶层的工序；

通过对于所述处理容器内的被加热到所述第二温度的所述衬底实施规定次数的包括供给第二原料气体的工序和供给所述氮化气体的工序的循环，由此在形成在所述氧化膜的表面上的所述种晶层上形成氮化膜的工序。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述种晶层的工序中，所述处理容器内的压力为比形成所述氮化膜的工序中的所述处理容器内的压力大的压力。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述种晶层的工序中，所述处理容器内的压力为比形成所述氮化膜的工序的供给所述第二原料气体的工序中的所述处理容器内的压力大的压力。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述种晶层的工序中，所述处理容器内的压力为比形成所述氮化膜的工序的供给所述氮化气体的工序中的所述处理容器内的压力大的压力。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述种晶层的工序中，所述衬底的温度为所述第二温度。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述种晶层的工序中，对所述氧化膜的表面进行氮化。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述种晶层的工序中，通过对于所述处理容器内的被加热到所述第一温度以上所述第二温度以下的温度的所述衬底实施规定次数的包括供给所述第一原料气体的工序和供给所述氮化气体的工序的循环，由此在所述氧化膜的表面上形成所述种晶层。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述种晶层的工序中，对于所述衬底交替地实施供给所述第一原料气体的工序和供给所述氮化气体的工序。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一原料气体和所述第二原料气体分别由不同的物质构成，所述第二原料气体与所述第一原料气体相比反应性低。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述氧化膜的工序中，对于所述衬底交替地实施供给所述第一原料气体的工序和供给所述氧化气体及所述还原气体的工序。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述氧化膜的工序中，对于所述衬底交替地实施供给所述第一原料气体的工序和供给所述氧化气体及所述还原气体的工序，然后，再实施供给所述氧化气体及所述还原气体的工序。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述氮化膜的工序中，对于所述衬底交替地实施供给所述第二原料气体的工序和供给所述氮化气体的工序。

13.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述氮化膜的工序中，对于所述衬底同时实施供给所述第二原料气体的工序和供给所述氮化气体的工序。

14.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括下述工序：通过对于处于小于大气压的压力下的所述处理容器内的被加热到所述第一温度的所述衬底实施规定次数的包括供给所述第一原料气体的工序和供给所述氧化气体及所述还原气体的工序的循环，由此在所述氮化膜上形成氧化膜的工序。

15.如权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述氮化膜的工序中，形成比最终所需的膜厚厚的膜厚的所述氮化膜。