[发明专利]一种锰酸钇半导体光催化粉体的制备方法无效
申请号: | 201210344247.6 | 申请日: | 2012-09-17 |
公开(公告)号: | CN102895968A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 蒲永平;刘丹;石轩;罗玥玥 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | B01J23/32 | 分类号: | B01J23/32;B01J37/34 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种锰酸钇半导体光催化粉体的制备方法,按照Y/Mn摩尔比为:1:1.5,Mn7+:Mn2+摩尔比为:1:4;将硝酸钇、高锰酸钾和硝酸锰溶于去离子水中;然后向溶液中滴加氢氧化钠,调节pH为8~14,形成均匀的前驱液;将前驱液倒入水热反应釜中并密封;放进微波消解仪中进行微波水热合成,冷却至室温,将产物用去离子水和无水乙醇洗涤数次,经1100℃煅烧制得。采用微波水热法辅助固相法制备,有效降低反应温度,提高粉体活性。该方法制备的锰酸钇粉体具有窄的光学带隙(Eg=1.55eV)。同时,其吸收波长大于800nm,对探索能够响应可见光的新型半导体光催化材料具有重要意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 锰酸钇 半导体 光催化 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种锰酸钇半导体光催化粉体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一:取硝酸钇均匀溶液A,高锰酸钾均匀溶液B和硝酸锰溶液C;步骤二:按照Y/Mn摩尔比为:1:1.5,Mn7+:Mn2+摩尔比为:1:4;将溶液B和C加入到溶液A中,搅拌均匀,调节pH为8~14,形成均匀的共沉淀前驱物D;步骤三:将共沉淀前驱物D倒入微波水热反应釜中,密封反应,反应完成后,冷却至室温;步骤四:取出反应釜内的物料用水冲洗至中性后,煅烧即得锰酸钇半导体光催化粉体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学,未经陕西科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210344247.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:逆变器电路拓扑及其控制方法
- 下一篇:一种全自动薄膜拆包机