[发明专利]对称电容式压力传感器及其制备方法无效
| 申请号： | 201210340680.2 | 申请日： | 2012-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102967394A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 汪祖民;展明浩;吕东锋;郭群英;徐栋;黄斌;王鹏;何凯旋 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L9/12;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233042 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及微电子机械领域中的一种对称电容式压力传感器，采用MEMS体硅工艺进行加工制作，其特征在于包括：硅片制作的基体（6），基体（6）两面分别设有完全对称的检测电容腔（3）和参考电容腔（4），基体（6）背面键合连接硅盖板（5），基体（6）正面键合连接由SOI硅片制成的压力敏感膜（1），压力敏感膜（1）一侧的基体上设有电极（7）。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 电容 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种对称电容式压力传感器，其特征在于包括：硅片制作的基体（6），基体（6）两面分别设有完全对称的检测电容腔（3）和参考电容腔（4），基体（6）背面键合连接硅盖板（5），基体（6）正面键合连接由SOI硅片制成的压力敏感膜（1），压力敏感膜（1）一侧的基体上设有电极（7）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东光电集成器件研究所，未经华东光电集成器件研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210340680.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种细胞核DNA染色方法
- 下一篇：便携式紫外线检测器
